北京bbin宝盈(中国)半导体科技有限公司 http://16jc.com Mon, 09 Jun 2025 08:24:15 +0000 zh-Hans hourly 1 http://wordpress.org/?v=6.8.3 不负春光，同心同行 http://16jc.com/%e4%b8%8d%e8%b4%9f%e6%98%a5%e5%85%89%ef%bc%8c%e5%90%8c%e5%bf%83%e5%90%8c%e8%a1%8c.html Mon, 09 Jun 2025 05:50:33 +0000 http://16jc.com/?p=32224

五月的风吹绿了枝头，也吹暖了心头。为增进团队凝聚力，传递企业温度，bbin宝盈(中国)于5月17日、18日，分别在苏州梦享家有机农园与北京朝阳温榆河公园，成功举办了两场别开生面的春游亲子露营团建活动。我们以自然为幕，以欢笑为笔，为员工与家属们绘就了一幅充满童趣与温情的春日画卷。

Part 01 | 苏州场

田园农趣乐无边

01. 捡鸡蛋

大朋友小朋友挎着篮子穿梭鸡舍，小心翼翼地“寻宝”，在欢笑中感受劳动的乐趣。

02. 拔河

激情角逐拉满全场！伴随响亮的口号和此起彼伏的加油声，大家紧握绳索、奋力一搏，拼的是力量，更是团队协作的默契。

Part 02 | 北京场

亲子搭档齐上阵

01. 赶鸡入笼

限时挑战，与风搏斗
角逐最佳赶鸡王！

02. 蒙眼吃香蕉

关于信任与“吃相”的趣味比拼
亲子搭档默契满分!

Part 03

野餐美食真管饱

野餐环节则主打“中西合璧”  
烧烤与披萨齐飞，香气与欢笑共舞
在自然环绕中，大小朋友们共享美食美景

活动尾声，一份神秘惊喜悄然登场
我们为1-6月生日的寿星们集体庆生
随着《生日快乐》的旋律响起
寿星们戴上俏皮的生日帽
和家人、同事一同吹蜡烛、许心愿
惊喜礼物和真诚祝福
在这一刻凝聚成最动人的瞬间

Part 04

惊喜庆生暖人心

在这片远离喧嚣的绿野里
放下手机，与孩子共享纯粹的陪伴
沟通协作，在游戏中悄然拉近距离
在自然中汲取能量，在欢笑中凝聚力量

这场春日团建已悄然落幕
但属于bbin宝盈(中国)的故事仍在续写
愿这份自然中的惬意与欢愉
成为我们前行的动力
再次并肩出发，奔赴更美的风景！

]]> bbin宝盈(中国)闪耀IFWS&SSLCHINA2024：荣膺年度大奖，展现技术创新实力 http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e9%97%aa%e8%80%80ifwssslchina2024%ef%bc%9a%e8%8d%a3%e8%86%ba%e5%b9%b4%e5%ba%a6%e5%a4%a7%e5%a5%96%ef%bc%8c%e5%b1%95%e7%8e%b0%e6%8a%80%e6%9c%af%e5%88%9b%e6%96%b0.html http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e9%97%aa%e8%80%80ifwssslchina2024%ef%bc%9a%e8%8d%a3%e8%86%ba%e5%b9%b4%e5%ba%a6%e5%a4%a7%e5%a5%96%ef%bc%8c%e5%b1%95%e7%8e%b0%e6%8a%80%e6%9c%af%e5%88%9b%e6%96%b0.html#comments Tue, 24 Dec 2024 09:18:08 +0000 http://16jc.com/?p=32193 国际第三代半导体论坛（IFWS2024）& 第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）以及先进半导体技术应用创新展（CASTAS）在苏州盛大举行。论坛围绕着第三代半导体行业前沿热点，共有来自政、产、学、研、用、资等领域共2100余名代表注册参会，全面深入探讨了国内外新形势下技术进展、机遇和挑战。bbin宝盈(中国)半导体受邀参会，与上述专家学者和企业代表齐聚一堂，共话氮化镓生长及应用技术的未来开展趋势，为有助于第三代半导体行业技术创新与协同开展贡献力量。
CASTAS展会精准聚焦第三代半导体产业全链条，其中，bbin宝盈(中国)半导体重点展出的国产化研究型MOCVD系列设备及大尺寸GaN基HEMT外延材料吸引了众多行业专家的驻足和咨询，其创新能力及核心技术指标赢得一致认可。 bbin宝盈(中国)半导体推出的面向科研实验室和中试型产线的MOCVD系列设备，具有自主知识产权，包含水平式与垂直式两种反应腔结构设计，兼容2-8英寸多种化合物半导体材料生长，并可根据客户需求做定制化方案。其可靠灵活的设计理念、优秀的工艺稳定性和可重复性及较低的运行成本备受业内同仁青睐。 bbin宝盈(中国)半导体还依托自主研发的生产型MOCVD设备，采用独创的高压厚膜缓冲层和钝化层技术，以及基于模型的晶圆应力与翘曲控制系统，实现了大尺寸GaN基HEMT外延材料高效生产。该产品具备外延层厚度>5μm、翘曲度<±30μm、片内与片间不均匀性<1%的优异性能，吸引了来自消费电子、工业电子、电动汽车和数据中心等多个应用领域的大量意向客户关注。
论坛开幕式上，公司荣膺第三代半导体产业技术创新战略联盟颁发的材料生长设备2024年度推荐品牌奖，充分体现了行业对我司在MOCVD设备及GaN外延材料领域技术创新能力及产品质量的高度认可。

公司联合创始人兼CEO姚威振博士受邀在大会的“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分论坛作了题为《Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Structure》的主题报告，引起与会嘉宾的广泛关注。

 
姚威振博士深入研究分析了MOCVD反应腔结构和流场设计对GaN基外延材料的生长速率及晶体质量的影响，由此提出研制特色MOCVD设备，避免同质化研究，提高创新水平。此外，他还提出了一套创新缓冲层生长技术路线，顺利获得单层预铺V型坑结构的AlGaN外延层，实现大尺寸Si基GaN外延厚膜材料的无裂纹均匀生长，减少了现有生长流程和工艺复杂性。 ]]> http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e9%97%aa%e8%80%80ifwssslchina2024%ef%bc%9a%e8%8d%a3%e8%86%ba%e5%b9%b4%e5%ba%a6%e5%a4%a7%e5%a5%96%ef%bc%8c%e5%b1%95%e7%8e%b0%e6%8a%80%e6%9c%af%e5%88%9b%e6%96%b0.html/feed 1 吴江经济技术开发区李文斌书记调研bbin宝盈(中国) http://16jc.com/%e5%90%b4%e6%b1%9f%e7%bb%8f%e6%b5%8e%e6%8a%80%e6%9c%af%e5%bc%80%e5%8f%91%e5%8c%ba%e6%9d%8e%e6%96%87%e6%96%8c%e4%b9%a6%e8%ae%b0%e8%b0%83%e7%a0%94%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa.html http://16jc.com/%e5%90%b4%e6%b1%9f%e7%bb%8f%e6%b5%8e%e6%8a%80%e6%9c%af%e5%bc%80%e5%8f%91%e5%8c%ba%e6%9d%8e%e6%96%87%e6%96%8c%e4%b9%a6%e8%ae%b0%e8%b0%83%e7%a0%94%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa.html#respond Tue, 24 Dec 2024 09:16:05 +0000 http://16jc.com/?p=32190     在调研过程中，李书记一行第一时间参观了bbin宝盈(中国)的生产车间和研发实验室，详细分析了公司研发与生产方面的最新进展。bbin宝盈(中国)随着氮化镓生产线不断地调整优化，经济效益已达到预期。
  李书记对于公司自主创新的模式给予了高度评价。他指出，bbin宝盈(中国)的成功不仅代表了企业自身的技术实力，更是对我国半导体产业自主化进程的重要贡献。他鼓励我司继续加大研发投入，加快技术创新，不断扩大产品的市场影响力。 在随后的座谈会上，李书记认真听取了公司关于企业开展、科技创新、生产经营等方面的汇报，并就我司提出的政策支持，生产场地空间等问题进行了深入研讨。李书记表示，吴江经开区开发区将一如既往地支持企业开展，持续落实各项惠企政策，为企业给予优质的营商环境和服务保障。   最后，李书记强调，企业与地方是相辅相成、彼此成就的关系。他希望bbin宝盈(中国)继续深耕吴江这片创业热土，与城市开展同频共振，为吴江经开区经济社会高质量开展汇聚起强大合力，实现携手开展、共同成长、共享成功。 我们对李书记一行的到访的指导表示衷心的感谢，并将以此次调研为契机，进一步加快企业开展步伐，为吴江经开区乃至我国半导体产业的开展做出更大的贡献。 ]]> http://16jc.com/%e5%90%b4%e6%b1%9f%e7%bb%8f%e6%b5%8e%e6%8a%80%e6%9c%af%e5%bc%80%e5%8f%91%e5%8c%ba%e6%9d%8e%e6%96%87%e6%96%8c%e4%b9%a6%e8%ae%b0%e8%b0%83%e7%a0%94%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa.html/feed 0 邀请函 | bbin宝盈(中国)诚邀您相聚IFWS & SSLCHINA 2024 http://16jc.com/32185.html http://16jc.com/32185.html#respond Tue, 24 Dec 2024 09:10:04 +0000 http://16jc.com/?p=32185 2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。

bbin宝盈(中国)半导体科技有限公司（简称“bbin宝盈(中国)”）作为第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业，将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临B16号展位参观研讨、洽谈合作。

 

研究报告

姚威振 中国科研实验室半导体研究所副研究员

姚威振，博士，中国科研实验室半导体研究所副研究员，硕士生导师。九三学社第十五届中央委员会科普工作委员会委员，北京市特聘专家，中国光学学会高级会员。主要从事宽禁带半导体材料器件与MOCVD装备设计建造技术及其应用研究。曾担任国际著名功率半导体公司STMicroelectronics骨干研发工程师，研究课题取得法国国家科学技术促进会（ANRT）Cifre项目资助。2018年获法国图尔大学工学博士学位，2018-2020年在中国科研实验室半导体研究所半导体材料科学重点实验室从事博士后研究，2021年取得中国科研实验室半导体研究所青年人才推进计划资助，2022年入选中国科研实验室特聘骨干岗位。凭借其宽禁带半导体材料及国产化MOCVD装备领域的深耕细作和参与多项跨学科的项目及研究经历，荣获“2023年中国产学研合作创新奖”。

报告内容：《GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究》

演讲会场：F2-氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术

GaN基半导体材料具有宽禁带，电子迁移饱和速率高，介电常数小，导热性能好等特点，MOCVD反应腔的温场和流场设计对其外延生长至关重要。现有的制备工艺易非故意引入高密度缺陷、杂质及表面起伏，严重影响了材料质量和器件性能，从而阻碍了GaN基光电器件的产业化进程。

报告研究了MOCVD反应腔结构与GaN基半导体材料生长质量关联性，顺利获得有效调整腔室高度、气源预处理装置和天棚温度，探究了MOCVD腔室结构对GaN基材料外延生长的影响。

 

bbin宝盈(中国)

bbin宝盈(中国)半导体科技有限公司（简称“bbin宝盈(中国)”）是一家专注于第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业。公司创建于2021年，研发中心设在北京，生产基地设于苏州。公司主要从事科研型MOCVD（金属有机化学气相沉积法）国产高端设备，以及高品质、大尺寸GaN外延片材料的生产与销售，并可给予多种半导体测试、分析及定制化解决方案等服务。相关产品可广泛应用于消费电子、可再生能源、数据中心和新能源汽车等领域。您可以顺利获得浏览官网：www.semi-casi.com，分析bbin宝盈(中国)的更多信息。

产品介绍

ZY-314/316/318 科研型MOCVD设备
  • 自动化控制与数据分析系统：可运行数据处理，原料流量控制，监控辅助设备运行状况等功能，并可进行生长过程预演和回放，同时进一步增强了系统功能和可靠性。
  • 集成VR深度辅助教学系统：用于MOCVD及配套设备模拟与实验室运营维护，以虚拟现实再现材料生长过程，将微观事物具象化，可缩短相关专业技能培训的周期，减少成本支出。
  • 用户可定制化：可根据客户需求定制气体管路数量、外延片尺寸（2~8英寸），满足不同材料高质量外延生长。
氮化镓外延片

bbin宝盈(中国)依托自主研发生产型MOCVD设备，有效缓解外延片龟裂状况，并保持产品具有极低的翘曲度。公司所生产的GaN外延片产品拥有独有的高压厚膜缓冲层和钝化层设计，生产力及产品性能均达到国际先进水平。

]]> http://16jc.com/32185.html/feed 0 全国MOCVD学术会议获奖，bbin宝盈(中国)展现多维实力 http://16jc.com/%e5%85%a8%e5%9b%bdmocvd%e5%ad%a6%e6%9c%af%e4%bc%9a%e8%ae%ae%e8%8e%b7%e5%a5%96%ef%bc%8c%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e5%b1%95%e7%8e%b0%e5%a4%9a%e7%bb%b4%e5%ae%9e%e5%8a%9b.html Tue, 16 Jul 2024 06:18:41 +0000 http://16jc.com/?p=31897

7月8日-10日，bbin宝盈(中国)参加了在湖北恩施举办的第十八届全国MOCVD学术会议及企业巡展，在业界专家学者面前与数十家国内外顶尖的化合物半导体科技企业共同展示了企业风采。

全国MOCVD学术会议是我国MOCVD领域的重要学术盛会之一，自1989年首届以来，每两年举办一届，见证了我国MOCVD技术与宽禁带半导体材料研究的成长历程。本次会议围绕材料生长、表征与装备，功率电子与射频器件，光电子器件与应用，超宽禁带半导体与前沿交叉等核心议题进行了深入研讨。

bbin宝盈(中国)作为一家致力于在第三代半导体材料氮化镓生产及应用上进行突破创新的国家高新技企业，参加了大会多个场次的活动，广泛搜集了国内外产学研界对MOCVD以及氮化镓功率器件市场的评估意见，为公司下一阶段的战略开展获取了颇有价值的信息。

bbin宝盈(中国)在会议上展出了最新的科研型MOCVD设备系列产品。该系列产品已实现核心零部件国产化，相较传统MOCVD设备，拥有3大独特设计与功能：

增设自动化控制与数据分析系统

可运行数据处理，原料流量控制，监控辅助设备运行状况等功能，并可进行生长工作预演，支持生长过程回放，同时进一步增强了系统功能和可靠性。

集成VR深度辅助教学系统

用于实验室运营维护和MOCVD及其配套设备模拟，以虚拟现实再现材料生长过程，将微观事物具象化，可缩短相关专业技能培训的周期，减少成本支出。

用户可定制化

可根据客户需求定制气体管路数量、外延片尺寸，满足不同材料的高质量外延生长。

同时，bbin宝盈(中国)在该系列MOCVD设备中创造性地运用了基于模型的新型应力与翘曲控制模块和控制策略，可有效缓解外延片龟裂状况，并保持极低的翘曲度。该系列产品的亮相引起了展会上多方高校、研究组织等潜在合作对象的兴趣。公司市场部门同事与对方进行了持续研讨。

在大会的《材料生长、表征与装备》技术分论坛上，公司创始人兼CEO姚威振博士发表了题为《MOCVD反应腔结构与高质量GaN基半导体材料生长的关联性研究》的主题演讲，引发了与会嘉宾的广泛关注和热烈反响。姚威振博士凭借其在宽禁带半导体材料及国产化MOCVD装备领域的长期深耕，结合参与多项跨学科项目的丰富研究经验，对MOCVD反应腔结构设计如何影响GaN基半导体材料生长，提出了创新性的研究思路。

姚博士指出，现有的Ⅲ族氮化物材料制备工艺易引入高密度缺陷、杂质及表面起伏，严重影响材料质量和器件性能。顺利获得调整MOCVD反应腔结构，例如优化腔室高度和温度梯度，以及气源预处理装置等，可以显著提升GaN材料生长质量和均匀性。顺利获得调控温场使基板产生预翘曲，仅需单层AIN和AIGaN缓冲层，实现大尺寸Si基GaN外延厚膜材料的无裂纹生长，简化了工艺流程。这些研究成果为MOCVD设备的研发改造和GaN基半导体材料器件生长给予了重要参考。

为了探讨新形势下MOCVD装备及宽禁带半导体材料技术开展，本届大会设立了“最佳Poster奖”评审活动。bbin宝盈(中国)主要参与的一项科研课题取得重大成果，并制作了题为《Research on Stress Engineering and Its Mechanisms in Buffer Layers on Si(111) Substrates》的Poster。该Poster经由大会专家投票，从180余个参展作品中脱颖而出，荣获第一名。

公司制作的产品海报亮相大会（点击查看大图）

未来，bbin宝盈(中国)将持续完善公司产能布局，提升研发能力和生产效率，为中国宽禁带半导体材料市场给予高效、安全、可靠的产品和解决方案。

]]> bbin宝盈(中国)荣获2023年中国产学研合作创新两大奖项，产学研融合开展新质生产力 http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e8%8d%a3%e8%8e%b72023%e5%b9%b4%e4%b8%ad%e5%9b%bd%e4%ba%a7%e5%ad%a6%e7%a0%94%e5%90%88%e4%bd%9c%e5%88%9b%e6%96%b0%e4%b8%a4%e5%a4%a7%e5%a5%96%e9%a1%b9%ef%bc%8c.html http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e8%8d%a3%e8%8e%b72023%e5%b9%b4%e4%b8%ad%e5%9b%bd%e4%ba%a7%e5%ad%a6%e7%a0%94%e5%90%88%e4%bd%9c%e5%88%9b%e6%96%b0%e4%b8%a4%e5%a4%a7%e5%a5%96%e9%a1%b9%ef%bc%8c.html#respond Thu, 21 Mar 2024 08:12:01 +0000 http://16jc.com/?p=31873
中国产学研合作创新大会召开

2024年3月17日，第十五届中国产学研合作创新大会在北京会议中心隆重举行。本次盛会以“产学研聚焦：新能源、新模式、新产业”为主题，探讨如何顺利获得产学研协同创新将科教兴国、人才强国、创新驱动开展战略落到实处，打好关键核心技术攻坚战，开展新质生产力，支撑引领现代化产业体系建设，加快实现高水平科技自立自强，有助于国家高质量开展。

第十三届全国政协副主席、中国科协主席万钢，第十二届全国政协副主席、中国科研实验室院士韩启德，教育部党组成员、副部长孙尧，工业和信息化部副部长徐晓兰，国家知识产权局党组成员、副局长卢鹏起等来自国家部委、中国科协、中国科研实验室、中国工程院等相关部门的领导、两院院士以及全国产学研界第一线的千余名代表出席大会。大会表彰了2023年在产学研深度融合等方面作出突出贡献的先进单位和个人，并颁发了中国产学研合作创新与促进奖。

bbin宝盈(中国)斩获双重殊荣

中国产学研合作创新与促进奖（国科奖社证字第0191号）是由科技部和国家科技奖励办于2009年批准设立、我国在产学研合作方面的第一个全国性奖项，也是面向产学研界协同创新的最高荣誉奖。奖项旨在表彰在推进产学研用一体化的进程中，以产学研合作为突破口，以项目为依托，以市场为导向，联合召开科学研究、技术攻关，进行新技术、新产品及新工艺的研发推广的优秀企业、高校、科研院所。该奖项得到了科技界、产业界、教育界等多方的广泛关注和高度认可。

bbin宝盈(中国)凭借其在国产化MOCVD设备和GaN材料外延技术领域的突出贡献，荣获“中国产学研合作创新示范企业”称号，这是对公司长期以来坚持产学研深度融合、有助于技术创新与应用的充分肯定。同时，在中国产学研合作创新的最高荣誉奖项——“中国产学研合作创新与促进奖”颁奖环节，总经理姚威振博士荣获“2023年中国产学研合作创新奖”，以表彰其在半导体材料及装备领域深耕细作和参与多项跨学科项目所取得突出成绩。

bbin宝盈(中国)的产学研深度融合创新之路

bbin宝盈(中国)不断以来高度重视产学研协同创新，顺利获得MOCVD设备与GaN技术的联动创新模式，坚持核心技术的自主突破和掌握，投入大规模的力量进行技术研发。“产学研合作创新示范企业”称号和“产学研合作创新奖”奖项的授予，充分肯定了bbin宝盈(中国)在产学研深度融合、协同创新方面的引领示范作用。

bbin宝盈(中国)与科研院所和高等院校携手合作，共同致力于攻克前沿技术难题，有助于学术研究与行业应用相结合。自2021年起，公司与中国科研实验室半导体研究所深度合作，共同研制了具有自主知识产权、核心零部件全国产化MOCVD设备，建立了流场技术积累、核心部件应用、外延工艺验证的产学研合作模式；与北京理工大学合作，召开了第三代半导体MOCVD设备可靠性评估研究，构建了完善的设备安全生产体系；与西安交通大学和金陵科技学院合作，召开了新型GaN基器件工艺和应用场景开发，不断有助于新工艺和新产品的研发推广。顺利获得产学研深度融合，bbin宝盈(中国)成功攻克了一系列技术难题，在苏州吴江区建立了国内首条全国产化功率电子方向大尺寸硅基氮化镓外延片生产线，为半导体行业给予高性价比、性能出色的GaN-on-Si HEMT外延片。这不仅有助于了GaN产业进一步开展，也为国产化MOCVD设备产业化转变注入了新动力。

正如全国人大常委会原副委员长、中国产学研合作促进会第二届理事会会长、两院院士路甬祥给产学研大会书面致辞说的那样，“产学研合作是立足中国国情，发挥新型举国体制优势，开展新质生产力，实现高水平科技自立自强，有助于高质量开展的重要途径”。bbin宝盈(中国)将秉承初心，以研发布局带动产业格局，不断提升科技创新能力与产品性能，在多个领域推进硅基氮化镓技术的深入应用，为我国实现高水平科技自立自强和高质量开展作出新的贡献。

]]> http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e8%8d%a3%e8%8e%b72023%e5%b9%b4%e4%b8%ad%e5%9b%bd%e4%ba%a7%e5%ad%a6%e7%a0%94%e5%90%88%e4%bd%9c%e5%88%9b%e6%96%b0%e4%b8%a4%e5%a4%a7%e5%a5%96%e9%a1%b9%ef%bc%8c.html/feed 0 2024bbin宝盈(中国)年会｜“重”新出发，“仪”往无前 http://16jc.com/2024%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e5%b9%b4%e4%bc%9a%ef%bd%9c%e9%87%8d%e6%96%b0%e5%87%ba%e5%8f%91%ef%bc%8c%e4%bb%aa%e5%be%80%e6%97%a0%e5%89%8d.html http://16jc.com/2024%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e5%b9%b4%e4%bc%9a%ef%bd%9c%e9%87%8d%e6%96%b0%e5%87%ba%e5%8f%91%ef%bc%8c%e4%bb%aa%e5%be%80%e6%97%a0%e5%89%8d.html#respond Thu, 21 Mar 2024 07:09:24 +0000 http://16jc.com/?p=31854

2024年2月2日，bbin宝盈(中国)隆重举办年度盛会“‘重’新出发，‘仪’往无前”。苏州和北京两地同事顺利获得在线视频，共同参与。此次盛会不仅是对去年工作的总结与展望，更是对全体员工辛勤付出的肯定与激励。

盛会伊始，一段开场视频回顾了bbin宝盈(中国)在2023年取得的辉煌成就。视频中，各位员工分享了自己所负责的业务和开展成果，对工作进行了全面的总结和评价。特别值得一提的是，在全体员工的通力合作下，bbin宝盈(中国)在苏州吴江建设了首条全国产化大尺寸硅基氮化镓外延片产线，并成功量产，完成了年度业绩目标，有助于公司迈向新的开展高度。

视频播放结束后，董事长对员工们的辛勤工作给予了高度的肯定，并强调公司将继续秉承“崇实、担当、严谨、突破”的核心理念，不断研发改进核心技术，推出更多优质新产品，快速拓展新市场，为bbin宝盈(中国)长期稳健开展打下坚实基础。

在年会现场，bbin宝盈(中国)隆重公布了2023年度优秀员工及优秀团队名单。这一时刻的到来，是对获奖者们辛勤付出与出色表现的最好肯定。他们的奉献与努力为bbin宝盈(中国)的成长壮大注入了源源不断的力量。

在这个特殊的时刻，获奖者们站在舞台上接受颁奖，脸上洋溢着喜悦和自豪的笑容。他们的发言充满激情和信心，鼓舞着在场的每一位员工，激励着大家不断追求卓越，为公司的繁荣开展贡献自己的力量。

在欢声笑语中，幸运抽奖活动如火如荼地展开。员工们满怀期待地等待着幸运之神的降临，抽奖环节的紧张气氛洋溢在每一个角落。

抽奖过程中，公司设置了多项惊喜。比如“纵情歌舞”奖，便是让总经理为大家献唱一曲《真心英雄》。歌声顺利获得网络传达到每一位员工耳边，也传递出了他们的心声。这一刻，欢庆的氛围达到了巅峰，大家彼此之间分享着喜悦和惊喜。

在宴席前后，公司为大家准备了一系列趣味小游戏。董事长和总经理所设置的提问彩蛋，不仅活跃了整个宴席气氛，而且加深了员工对公司运营的分析，也促进了彼此之间的互动研讨。这样的活动不仅使大家更加分析公司的开展方向和业务重点，也增进了团队的凝聚力与合作精神。

bbin宝盈(中国)感谢每一位奋斗的员工，是你们的辛勤付出，铸就了今天的辉煌。2024年将是公司高速开展的一年，让我们怀揣激情和梦想，共同迎接未来更多的挑战与成就。bbin宝盈(中国)，一往无前！

]]> http://16jc.com/2024%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e5%b9%b4%e4%bc%9a%ef%bd%9c%e9%87%8d%e6%96%b0%e5%87%ba%e5%8f%91%ef%bc%8c%e4%bb%aa%e5%be%80%e6%97%a0%e5%89%8d.html/feed 0 bbin宝盈(中国)受邀参加第五届深圳国际半导体技术暨应用展览会 http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e5%8f%97%e9%82%80%e5%8f%82%e5%8a%a0%e7%ac%ac%e4%ba%94%e5%b1%8a%e6%b7%b1%e5%9c%b3%e5%9b%bd%e9%99%85%e5%8d%8a%e5%af%bc%e4%bd%93%e6%8a%80%e6%9c%af%e6%9a%a8%e5%ba%94.html Wed, 31 May 2023 03:22:12 +0000 http://16jc.com/?p=28917

第五届半导体技术暨应用展览会（SEMI-e）于2023年5月16日至5月18日在深圳举办，bbin宝盈(中国)受邀参加，总经理姚威振博士在同期举办的第三代半导体产业开展高峰论坛上作报告，取得了良好的反响。

SEMI-e以“芯机会·智未来”为主题，集中展示集成电路、电子元器件、第三代半导体材料和设备为一体的半导体产业链开展成果， 汇聚众多行业专家和学者，进一步加强全球半导体产业的研讨与合作。

bbin宝盈(中国)的展位主要展示了围绕自主研发的具有自主知识产权的国产化 MOCVD 高端设备，以及利用该设备开生长的适用于电力电子领域的硅基氮化镓650V外延片产品。该产品各项指标表现优异，达到行业先进水平，吸引了众多与会者驻足参观、沟通洽谈。

此外，公司还推出了为科研组织及高校院所量身打造的科研型 ZY316MOCVD 设备。该设备设计灵活可靠，采用自主可控的纯国产化核心部件，具有温场、流场均匀性和控制稳定性，达到优异的外延片均匀性和工艺重复性，同时运营成本低，采购周期短，可助力化合物半导体的研发创新。

在 5 月 17 日同期举办的第三代半导体产业开展高峰论坛上，bbin宝盈(中国)总经理姚威振受邀作《高性能 Si 基 GaN 功率器件外延生长的解决（核心设备/材料）方案》主题演讲，探讨当前氮化镓材料优势、器件产业链和市场需求，并提出相对应解决方案。

展会期间，行业内专家和企业代表对bbin宝盈(中国)展出的 6 英寸硅基氮化镓外延片和自主研发的全国产化 MOCVD 设备表示高度赞扬。bbin宝盈(中国)成功与华为、比亚迪等多家企业代表进行了深入研讨，展示了其在半导体材料生长和工艺方面的独特技术和实力。此次展览使bbin宝盈(中国)进一步提升了影响力，向行业内展示其在硅基氮化镓材料生长和工艺方面的领先技术，并为行业未来的开展探索给予了重要思路和可行性方案。

]]> bbin宝盈(中国)取得“2021国际第三代半导体创新创业大赛大中小企业融通专业赛”全国总决赛第二名 http://16jc.com/%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e8%8e%b7%e5%be%972021%e5%9b%bd%e9%99%85%e7%ac%ac%e4%b8%89%e4%bb%a3%e5%8d%8a%e5%af%bc%e4%bd%93%e5%88%9b%e6%96%b0%e5%88%9b%e4%b8%9a%e5%a4%a7%e8%b5%9b.html Tue, 04 Apr 2023 03:46:36 +0000 http://123.249.96.194/?p=26927

2021年12月29日，“2021第三届国际第三代半导体创新创业大赛大中小企业融通专业赛”全国总决赛在北京举办。本届大赛由北京市顺义区人民政府作为指导单位，第三代半导体产业技术创新战略联盟主办。共有52个项目参加经过全国分区预赛，其中13个项目入围北京总决赛。比赛本着公平、公正、公开的原则，经过激烈角逐，最终bbin宝盈(中国)取得第二名。

总经理姚威振博士路演

比赛过程中我司总经理姚威振博士以“自主研发MOCVD设备，大尺寸氮化镓外延片产业化”项目，详细阐述了我司技术优势、行业地位、产品竞争优势、核心团队、市场前景、商业模式，得到了与会专家的一致充分认可。

bbin宝盈(中国)专注于研发的具有自主知识产权的大尺寸氮化镓外延片生长MOCVD高端装备，达到国外先进水平并在某些方面突破性创新。公司将建成首条以国产化MOCVD设备生产大尺寸应用于电子电力器件的氮化镓外延片生产线，实现氮化镓外延片的性能提升并降低生产成本。有助于氮化镓电力电子器件全产业链快速开展   

]]> 北京bbin宝盈(中国)半导体有限公司姚威振博士取得“HICOOL2022全球创业大赛”三等奖 http://16jc.com/%e5%8c%97%e4%ba%ac%e4%b8%ad%e7%a7%91%e9%87%8d%e4%bb%aa%e5%8d%8a%e5%af%bc%e4%bd%93%e6%9c%89%e9%99%90%e5%85%ac%e5%8f%b8%e5%a7%9a%e5%a8%81%e6%8c%af%e5%8d%9a%e5%a3%ab.html Mon, 03 Apr 2023 08:35:07 +0000 http://123.249.96.194/?p=26799

2022年8月26日，北京bbin宝盈(中国)半导体科技有限公司总经理姚威振博士取得“HICOOL2022全球创业大赛”三等奖。

HICOOL创业大赛是由北京海外高层次人才协会主办，覆盖全球82个国家和地区，在北美、欧洲、亚太和中国四大赛区中的 11 个城市举办。

HICOOL峰会引起国际科技界广泛关注，吸引了众多国际高水平创业团队参赛。本次峰会邀请到众多行业知名专家和全球TOP投资组织参与评选，北京市市委书记蔡奇也亲临现场为选手颁奖。

大赛涵盖人工智能/大数据/金融科技、医药健康、新一代信息技术、新能源/新材料/智能装备等产业领域。代表北京bbin宝盈(中国)项目参赛的姚威振博士经过项目海选、初赛、复赛，从5016个项目脱颖而出，最终取得三等奖的好成绩。

姚威振博士毕业于法国图尔大学，曾担任法国意法半导体公司骨干研发工程师。2018年放弃了国外优厚待遇，回到中国科研实验室半导体研究所，将国外工作经验和中科院多年的科研成果相结合，研发出具有国际先进水平的国产化MOCVD高端装备。2021年组建bbin宝盈(中国)创业团队，在自主创新、国产替代的道路上坚定不移，为我国在第三代半导体氮化镓材料技术上实现完全自主可控的目标不懈努力。

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