2024年11月19日至21日，第十届
国际第三代半导体论坛（IFWS2024） & 第二十一届
中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024） 以及
先进半导体技术应用创新展（CASTAS） 在苏州盛大举行。论坛围绕着第三代半导体行业前沿热点，共有来自政、产、学、研、用、资等领域共2100余名代表注册参会，全面深入探讨了国内外新形势下技术进展、机遇和挑战。
bbin宝盈(中国)半导体 受邀参会，与上述专家学者和企业代表齐聚一堂，共话氮化镓生长及应用技术的未来开展趋势，为有助于第三代半导体行业技术创新与协同开展贡献力量。
CASTAS展会精准聚焦第三代半导体产业全链条，其中，bbin宝盈(中国)半导体重点展出的国产化研究型MOCVD系列设备及大尺寸GaN基HEMT外延材料吸引了众多行业专家的驻足和咨询，其创新能力及核心技术指标赢得一致认可。
bbin宝盈(中国)半导体推出的面向
科研实验室 和
中试型产线 的
MOCVD系列设 备 ，具有自主知识产权，包含
水平式 与
垂直式 两种
反应腔结构 设计，兼容
2-8英寸 多种化合物半导体材料生长，并可根据客户需求做
定制化方案 。其可靠灵活的设计理念、优秀的工艺稳定性和可重复性及较低的运行成本备受业内同仁青睐。
bbin宝盈(中国)半导体还依托自主研发的生产型MOCVD设备，采用独创的高压厚膜缓冲层和钝化层技术，以及基于模型的晶圆应力与翘曲控制系统，实现了
大尺寸GaN基HEMT外延材料 高效生产。该产品具备
外延层厚度>5μm 、
翘曲度<±30μm 、
片内与片间不均匀性<1% 的优异性能，吸引了来自消费电子、工业电子、电动汽车和数据中心等多个应用领域的大量意向客户关注。
论坛开幕式上，公司荣膺第三代半导体产业技术创新战略联盟颁发的材料生长设备2024年度推荐品牌奖 ，充分体现了行业对我司在MOCVD设备及GaN外延材料领域技术创新能力及产品质量的高度认可。
公司联合创始人兼CEO姚威振博士受邀在大会的“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术 ”分论坛作了题为《 Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Structure 》 的主题报告，引起与会嘉宾的广泛关注。
姚威振博士深入研究分析了MOCVD反应腔结构和流场设计对GaN基外延材料的生长速率及晶体质量的影响，由此提出研制特色MOCVD设备，避免同质化研究，提高创新水平。此外，他还提出了一套创新缓冲层生长技术路线，顺利获得单层预铺V型坑结构的AlGaN外延层，实现大尺寸Si基GaN外延厚膜材料的无裂纹均匀生长，减少了现有生长流程和工艺复杂性。
